IXGK28N140B3H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGK28N140B3H1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 163 pF

Encapsulados: TO264

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IXGK28N140B3H1 datasheet

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IXGK28N140B3H1

GenX3TM 1400V VCES = 1400V IXGH28N140B3H1 IC110 = 28A IGBTs w/ Diode IXGX28N140B3H1 VCE(sat) 3.60V IXGK28N140B3H1 Avalanche Rated TO-247 (IXGH) G C Tab E Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247 (IXGX) VCES TJ = 25 C to 150 C 1400 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1400 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C IC25 TC = 25 C

Otros transistores... IXGJ50N60B, IXGJ50N60C4D1, IXGK100N170, IXGK120N120A3, IXGK120N120B3, IXGK120N60A3, IXGK120N60B3, IXGK120N60C2, TGD30N40P, IXGK320N60A3, IXGK320N60B3, IXGK35N120B, IXGK35N120BD1, IXGK35N120C, IXGK35N120CD1, IXGK400N30A3, IXGK50N120C3H1