IXGK400N30A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGK400N30A3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.15(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1350 pF

Encapsulados: TO264

 Búsqueda de reemplazo de IXGK400N30A3 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXGK400N30A3 datasheet

 ..1. Size:199K  ixys
 ixgk400n30a3.pdf pdf_icon

IXGK400N30A3

GenX3TM 300V IGBTs VCES = 300V IXGK400N30A3 IC25 = 400A IXGX400N30A3 VCE(sat) 1.15V Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 10kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V C Tab E E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXGX) IC25 TC = 25 C (

Otros transistores... IXGK120N60C2, IXGK28N140B3H1, IXGK320N60A3, IXGK320N60B3, IXGK35N120B, IXGK35N120BD1, IXGK35N120C, IXGK35N120CD1, IRG4PC40W, IXGK50N120C3H1, IXGK50N60A2D1, IXGK50N60B2D1, IXGK50N60C2D1, IXGK50N90B2D1, IXGK55N120A3H1, IXGK60N60B2D1, IXGK60N60C2D1