IXGK400N30A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGK400N30A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1000 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.15(max) V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1350 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 560 nC
Paquete / Cubierta: TO264
Búsqueda de reemplazo de IXGK400N30A3 - IGBT
IXGK400N30A3 Datasheet (PDF)
ixgk400n30a3.pdf
GenX3TM 300V IGBTs VCES = 300VIXGK400N30A3IC25 = 400AIXGX400N30A3VCE(sat) 1.15VUltra-Low Vsat PT IGBTs forup to 10kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 300 VCTabEEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TM (IXGX)IC25 TC = 25C (
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