IXGK400N30A3 Todos los transistores

 

IXGK400N30A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGK400N30A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1000 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.15(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1350 pF
   Paquete / Cubierta: TO264
 

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IXGK400N30A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:199K  ixys
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IXGK400N30A3

GenX3TM 300V IGBTs VCES = 300VIXGK400N30A3IC25 = 400AIXGX400N30A3VCE(sat) 1.15VUltra-Low Vsat PT IGBTs forup to 10kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 300 VCTabEEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VPLUS247TM (IXGX)IC25 TC = 25C (

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History: IXGH6N170A | IXGH72N60B3 | IXGH60N30C3 | IXGK72N60B3H1 | IXGN82N120B3H1 | IXGT72N60B3

 

 
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