1MB10D-120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1MB10D-120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 135 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 16 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.5 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 600 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 250 pF
Paquete / Cubierta: TO3P
Búsqueda de reemplazo de 1MB10D-120 IGBT
1MB10D-120 PDF specs
1mb10d-120.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductance n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supply n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit n n Absolute Maxim... See More ⇒
1mb10-120.pdf
Fuji Discrete Package IGBT n Outline Drawing n n Features n Square RBSOA Low Saturation Voltage Less Total Power Dissipation Minimized Internal Stray Inductance n Applications n High Power Switching A.C. Motor Controls D.C. Motor Controls Uninterruptible Power Supply n Maximum Ratings and Characteristics n Equivalent Circuit n n Absolute Maxim... See More ⇒
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Liste
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