IXGK82N120B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGK82N120B3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 230 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.7 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 77 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 640 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
Paquete / Cubierta: TO264
- Selección de transistores por parámetros
IXGK82N120B3 Datasheet (PDF)
ixgk82n120b3.pdf
Advance Technical InformationGenX3TM 1200V VCES = 1200VIXGK82N120B3IC110 = 82AIGBTsIXGX82N120B3 VCE(sat) 3.20V High-Speed Low-Vsat PT IGBTsfor 3 - 20 kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VC(TAB)EEVGES Continuous 20 VVGEM Transient
ixgk82n120a3.pdf
Preliminary Technical InformationGenX3TM 1200V VCES = 1200VIXGK82N120A3IC110 = 82AIGBTsIXGX82N120A3 VCE(sat) 2.05V Ultra-Low-Vsat PT IGBTs forup to 3kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGCTabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 V EEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 3
ixgk80n60a.pdf
IXGK80N60APreliminary dataVCES = 600 VIXGK80N60AHiPerFASTTM IGBTIC25 = 80 AVCE(sat) = 2.7 Vtfi = 275 nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AAVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C, limited by leads 80 AIC90 TC = 90C80 AG = Gate C = Co
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Liste
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