IXGN100N170 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXGN100N170
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 735 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 192 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 455 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 425 nC
   Paquete / Cubierta: SOT227B

Búsqueda de reemplazo de IXGN100N170 - IGBT

IXGN100N170 Datasheet (PDF)

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ixgn100n170.pdf

VCES = 1700VHigh Voltage IXGN100N170IC90 = 95AIGBT VCE(sat) 3.0V ESOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 1700 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC = 25C 160 AIC90 TC = 90C 95 ACICM TC = 25C, 1ms 600 AG = Gate

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ixgn120n60a3.pdf

VCES = 600VIXGN120N60A3GenX3TM 600V IGBTIXGN120N60A3D1 IC110 = 120AVCE(sat) 1.35VUltra-low Vsat PT IGBTs for up to5kHz switchingSOT-227B, miniBLOC E153432E E 60A360A3D1 GSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VCVGES Continuous 20 VG = Gate, C = Collector, E =

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