IXGN72N60A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGN72N60A3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 360 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.35(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 34 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 360 pF

Encapsulados: SOT227B

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IXGN72N60A3 datasheet

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IXGN72N60A3

Preliminary Technical Information VCES = 600V IXGN72N60A3 GenX3TM 600V IGBT IC110 = 68A VCE(sat) 1.35V Ultra Low Vsat PT IGBT for up to 5kHz switching E SOT-227B, miniBLOC Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V G VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC

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IXGN72N60A3

GenX3TM 600V IGBT VCES = 600V IXGN72N60C3H1 with Diode IC110 = 52A VCE(sat) 2.50V tfi(typ) = 55ns High-Speed Low-Vsat PT IGBTs 40-100 kHz Switching SOT-227B, miniBLOC E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V E IC25 TC

Otros transistores... IXGN200N60B3, IXGN320N60A3, IXGN400N30A3, IXGN400N60A3, IXGN400N60B3, IXGN50N120C3H1, IXGN60N60C2, IXGN60N60C2D1, RJP30E2DPP-M0, IXGN72N60C3H1, IXGN82N120B3H1, IXGN82N120C3H1, IXGP12N120A2, IXGP12N120A3, IXGP12N60B, IXGP14N120B, IXGP15N120B2