Справочник IGBT. IXGN72N60A3

 

IXGN72N60A3 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGN72N60A3
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 360 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 160 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.35(max) V @25℃
   Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   tr ⓘ - Время нарастания типовое: 34 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 360 pF
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXGN72N60A3

   - подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGN72N60A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:182K  ixys
 ixgn72n60a3.pdf pdf_icon

IXGN72N60A3

Preliminary Technical InformationVCES = 600VIXGN72N60A3GenX3TM 600V IGBTIC110 = 68AVCE(sat) 1.35VUltra Low Vsat PT IGBT forup to 5kHz switchingESOT-227B, miniBLOCSymbol Test Conditions Maximum Ratings E153432VCES TJ = 25C to 150C 600 VE VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VGVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC

 5.1. Size:221K  ixys
 ixgn72n60c3h1.pdf pdf_icon

IXGN72N60A3

GenX3TM 600V IGBT VCES = 600VIXGN72N60C3H1with Diode IC110 = 52AVCE(sat) 2.50Vtfi(typ) = 55nsHigh-Speed Low-Vsat PTIGBTs 40-100 kHz SwitchingSOT-227B, miniBLOC E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsE VCES TJ = 25C to 150C 600 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VE IC25 TC

Другие IGBT... IXGN200N60B3 , IXGN320N60A3 , IXGN400N30A3 , IXGN400N60A3 , IXGN400N60B3 , IXGN50N120C3H1 , IXGN60N60C2 , IXGN60N60C2D1 , FGA25N120ANTD , IXGN72N60C3H1 , IXGN82N120B3H1 , IXGN82N120C3H1 , IXGP12N120A2 , IXGP12N120A3 , IXGP12N60B , IXGP14N120B , IXGP15N120B2 .

History: MMG50J120UZ | IXGN50N120C3H1 | MMG200DR060B

 

 
Back to Top

 


 
.