IXGP16N60B2D1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGP16N60B2D1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.3(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF

Encapsulados: TO220

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IXGP16N60B2D1 datasheet

..1. Size:214K ixys
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HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600V IXGA16N60B2D1 B2-Class High Speed IC110 = 16A IXGP16N60B2D1 w/ Diode VCE(sat) 2.3V IXGH16N60B2D1 tfi(typ) = 70ns TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C C (

3.1. Size:221K ixys
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HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600V IXGA16N60B2 B2-Class High Speed IC110 = 16A IXGP16N60B2 VCE(sat) 2.3V tfi(typ) = 70ns TO-263 AA (IXGA) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G E VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V C (Tab) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V TO-220AB (IXGP) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A IC110 TC = 110

5.1. Size:197K ixys
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5.2. Size:216K ixys
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HiPerFASTTM IGBTs VCES = 600V IXGA16N60C2D1 C2-Class High Speed IC110 = 16A IXGP16N60C2D1 w/ Diode VCE(sat) 3.0V IXGH16N60C2D1 tfi(typ) = 33ns TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXGP) VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G C C

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