IXGP4N100 Todos los transistores

 

IXGP4N100 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGP4N100
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 40 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 8 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 21 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 13.6 nC
   Paquete / Cubierta: TO220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGP4N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  ixys
 ixgp4n100.pdf pdf_icon

IXGP4N100

Advanced Technical InformationIXGA 4N100VCES = 1000 VIGBTIXGP 4N100IC25 = 8 AVCE(sat) = 2.7 VSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C8 AIC90 TC = 90C4 AICM TC = 25C, 1 ms 16 ATO-263 AA (IXGA)SSOA VGE = 1

 9.1. Size:223K  ixys
 ixga48n60c3-ixgh48n60c3-ixgp48n60c3.pdf pdf_icon

IXGP4N100

IXGA48N60C3 VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGH48N60C3IC110 = 48AIXGP48N60C3VCE(sat) 2.5VHigh Speed PT IGBTs fortfi(typ) = 38ns40-100kHz switchingTO-263 (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TC = 25C to 150C 600 VE (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTO-247 (IXGH)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VI

 9.2. Size:221K  ixys
 ixgp48n60b3.pdf pdf_icon

IXGP4N100

IXGA48N60B3 VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGP48N60B3IC110 = 48AIXGH48N60B3VCE(sat) 1.8VMedium speed low Vsat PTIGBTs 5-40 kHz switchingTO-263 (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGEVCES TC = 25C to 150C 600 V (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTO-220 (IXGP)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC110 TC = 1

 9.3. Size:173K  ixys
 ixgp42n30c3.pdf pdf_icon

IXGP4N100

VCES = 300VIXGA42N30C3GenX3TM 300V IGBTIC110 = 42AIXGH42N30C3 VCE(sat) 1.85V High Speed PT IGBTs forIXGP42N30C350-150kHz switchingtfi typ = 65nsTO-263 (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 300 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 V EC (TAB)VGES Continuous 20 VTO-247 (IXGH)VGEM Transient 30 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IXGP30N60C3 , IXGP30N60C3C1 , IXGP30N60C3D4 , IXGP36N60A3 , IXGP42N30C3 , IXGP48N60A3 , IXGP48N60B3 , IXGP48N60C3 , CRG60T60AK3HD , IXGP50N60B4 , IXGP50N60C4 , IXGP7N60BD1 , IXGP7N60CD1 , IXGQ20N120B , SL75T120FZ , IXGQ50N60B4D1 , IXGQ50N60C4D1 .

History: IXYK100N120B3 | RJH60V2BDPP-M0

 

 
Back to Top

 


 
.