Справочник IGBT. IXGP4N100

 

IXGP4N100 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: IXGP4N100
   Тип транзистора: IGBT
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1000 V
   |Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 8 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
   trⓘ - Время нарастания типовое: 25 nS
   Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 21 pF
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP4N100

 

 

IXGP4N100 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  ixys
 ixgp4n100.pdf

IXGP4N100 IXGP4N100

Advanced Technical InformationIXGA 4N100VCES = 1000 VIGBTIXGP 4N100IC25 = 8 AVCE(sat) = 2.7 VSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220AB (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 MW 1000 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCEIC25 TC = 25C8 AIC90 TC = 90C4 AICM TC = 25C, 1 ms 16 ATO-263 AA (IXGA)SSOA VGE = 1

 9.1. Size:223K  ixys
 ixga48n60c3-ixgh48n60c3-ixgp48n60c3.pdf

IXGP4N100 IXGP4N100

IXGA48N60C3 VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGH48N60C3IC110 = 48AIXGP48N60C3VCE(sat) 2.5VHigh Speed PT IGBTs fortfi(typ) = 38ns40-100kHz switchingTO-263 (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TC = 25C to 150C 600 VE (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTO-247 (IXGH)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VI

 9.2. Size:221K  ixys
 ixgp48n60b3.pdf

IXGP4N100 IXGP4N100

IXGA48N60B3 VCES = 600VGenX3TM 600V IGBTIXGP48N60B3IC110 = 48AIXGH48N60B3VCE(sat) 1.8VMedium speed low Vsat PTIGBTs 5-40 kHz switchingTO-263 (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGEVCES TC = 25C to 150C 600 V (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VTO-220 (IXGP)VGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC110 TC = 1

 9.3. Size:173K  ixys
 ixgp42n30c3.pdf

IXGP4N100 IXGP4N100

VCES = 300VIXGA42N30C3GenX3TM 300V IGBTIC110 = 42AIXGH42N30C3 VCE(sat) 1.85V High Speed PT IGBTs forIXGP42N30C350-150kHz switchingtfi typ = 65nsTO-263 (IXGA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 300 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 300 V EC (TAB)VGES Continuous 20 VTO-247 (IXGH)VGEM Transient 30 V

 9.4. Size:240K  ixys
 ixgp48n60c3.pdf

IXGP4N100 IXGP4N100

GenX3TM 600V IGBTs IXGI48N60C3 VCES = 600V IXGA48N60C3IC110 = 48A IXGP48N60C3 2.5VHigh-Speed PT IGBTs for VCE(sat) 40-100kHz Switching IXGH48N60C3tfi(typ) = 38nsSymbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 V FeaturesVGES Continuous 20 V Optimized for Low Switching LossesVGEM Tra

 9.5. Size:234K  ixys
 ixgp48n60a3.pdf

IXGP4N100 IXGP4N100

IXGA48N60A3 VCES = 600VGenX3TM 600VIXGP48N60A3IGBTs IC110 = 48AIXGH48N60A3VCE(sat) 1.35VUltra Low Vsat PT IGBTs forTO-263 (IXGA)up to 5kHz switchingGESymbol Test Conditions Maximum RatingsC (Tab)VCES TJ = 25C to 150C 600 VTO-220 (IXGP)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGIC25 TC =

Другие IGBT... IXGP30N60C3 , IXGP30N60C3C1 , IXGP30N60C3D4 , IXGP36N60A3 , IXGP42N30C3 , IXGP48N60A3 , IXGP48N60B3 , IXGP48N60C3 , JT075N065WED , IXGP50N60B4 , IXGP50N60C4 , IXGP7N60BD1 , IXGP7N60CD1 , IXGQ20N120B , SL75T120FZ , IXGQ50N60B4D1 , IXGQ50N60C4D1 .

 

 
Back to Top