IXGP50N60B4 Todos los transistores

 

IXGP50N60B4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGP50N60B4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 68 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 105 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXGP50N60B4 Datasheet (PDF)

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IXGP50N60B4

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGA50N60B4IC110 = 50AIXGP50N60B4 VCE(sat) 1.8V IXGH50N60B4Low-Vsat PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC C (Tab)EIC25 TC = 25C 1

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IXGP50N60B4

VCES = 600VHigh-Gain IGBTs IXGA50N60C4IC110 = 46AIXGP50N60C4 VCE(sat) 2.3V IXGH50N60C4High-Speed PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA)GEC (Tab)TO-220AB (IXGP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 600 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 600 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VC C (Tab)EIC25 TC = 25C

Otros transistores... IXGP30N60C3C1 , IXGP30N60C3D4 , IXGP36N60A3 , IXGP42N30C3 , IXGP48N60A3 , IXGP48N60B3 , IXGP48N60C3 , IXGP4N100 , IKW50N60H3 , IXGP50N60C4 , IXGP7N60BD1 , IXGP7N60CD1 , IXGQ20N120B , SL75T120FZ , IXGQ50N60B4D1 , IXGQ50N60C4D1 , IXGR120N60B .

History: PSTG75HST12 | CI20T120P | IRGB10B60KD

 

 
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