IXGP50N60B4 Todos los transistores

 

IXGP50N60B4 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGP50N60B4
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 100 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 68 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 105 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXGP50N60B4 PDF specs

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IXGP50N60B4

VCES = 600V High-Gain IGBTs IXGA50N60B4 IC110 = 50A IXGP50N60B4 VCE(sat) 1.8V IXGH50N60B4 Low-Vsat PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C C (Tab) E IC25 TC = 25 C 1... See More ⇒

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IXGP50N60B4

VCES = 600V High-Gain IGBTs IXGA50N60C4 IC110 = 46A IXGP50N60C4 VCE(sat) 2.3V IXGH50N60C4 High-Speed PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C C (Tab) E IC25 TC = 25 C... See More ⇒

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