IXGP50N60B4 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGP50N60B4

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 100 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.4 V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 68 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 105 pF

Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для IXGP50N60B4

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

IXGP50N60B4 даташит

 ..1. Size:218K  ixys
 ixgp50n60b4.pdf pdf_icon

IXGP50N60B4

VCES = 600V High-Gain IGBTs IXGA50N60B4 IC110 = 50A IXGP50N60B4 VCE(sat) 1.8V IXGH50N60B4 Low-Vsat PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C C (Tab) E IC25 TC = 25 C 1

 5.1. Size:216K  ixys
 ixgp50n60c4.pdf pdf_icon

IXGP50N60B4

VCES = 600V High-Gain IGBTs IXGA50N60C4 IC110 = 46A IXGP50N60C4 VCE(sat) 2.3V IXGH50N60C4 High-Speed PT Trench IGBT TO-263 AA (IXGA) G E C (Tab) TO-220AB (IXGP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 600 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C C (Tab) E IC25 TC = 25 C

Другие IGBT... IXGP30N60C3C1, IXGP30N60C3D4, IXGP36N60A3, IXGP42N30C3, IXGP48N60A3, IXGP48N60B3, IXGP48N60C3, IXGP4N100, SGT60U65FD1PT, IXGP50N60C4, IXGP7N60BD1, IXGP7N60CD1, IXGQ20N120B, SL75T120FZ, IXGQ50N60B4D1, IXGQ50N60C4D1, IXGR120N60B