IXGQ20N120B IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGQ20N120B

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.9 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 14 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 70 pF

Encapsulados: TO3P

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IXGQ20N120B datasheet

..1. Size:508K ixys
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High Voltage IGBT with Diode VCES = 1200 V IXGQ 20N120B IC25 = 40 A IXGQ 20N120BD1 VCE(sat) = 3.4 V tfi(typ) = 160 ns BD1 TO-3P (IXGQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G IC25 TC = 25 C40 A C (TAB) E IC110 TC = 110 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 100

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PolarTM High Speed VCES = 300V IXGQ240N30PB IGBT ICP = 500A VCE(sat) 1.6V For PDP Applications TO-3P Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V G VGES Continuous 20 V C VGEM Transient 30 V E Tab IC25 TC = 25 C (Chip Capability) 240 A ICP TJ 150 C, tp

9.2. Size:152K ixys
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