IXGR35N120C IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGR35N120C

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 260 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXGR35N120C datasheet

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IXGR35N120C

VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ) HiPerFASTTM IGBT IXGR 35N120B 1200 V 70 A 3.3 V 160 ns ISOPLUS247TM 1200 V 70 A 4.0 V 115 ns IXGR 35N120C (Electrically Isolated Backside) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E Isolated Backside* IC25

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IXGR35N120C

VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ) HiPerFASTTM IGBT IXGR 35N120B 1200 V 70 A 3.3 V 160 ns ISOPLUS247TM 1200 V 70 A 4.0 V 115 ns IXGR 35N120C (Electrically Isolated Backside) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E Isolated Backside* IC25

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IXGR35N120C

VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ) HiPerFASTTM IGBT IXGR 35N120B 1200 V 70 A 3.3 V 160 ns ISOPLUS247TM 1200 V 70 A 4.0 V 115 ns IXGR 35N120C (Electrically Isolated Backside) Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247 E153432 VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G VGEM Transient 30 V C E Isolated Backside* IC25

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IXGR35N120C

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