IXGR35N120C Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGR35N120C
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4(max) V @25℃
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 27 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 260 pF
Тип корпуса: ISOPLUS247
- подбор IGBT транзистора по параметрам
IXGR35N120C Datasheet (PDF)
ixgr35n120b ixgr35n120c.pdf

VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)HiPerFASTTM IGBTIXGR 35N120B 1200 V 70 A 3.3 V 160 nsISOPLUS247TM1200 V 70 A 4.0 V 115 nsIXGR 35N120C(Electrically Isolated Backside)Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCE Isolated Backside*IC25
ixgr35n120c.pdf

VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)HiPerFASTTM IGBTIXGR 35N120B 1200 V 70 A 3.3 V 160 nsISOPLUS247TM1200 V 70 A 4.0 V 115 nsIXGR 35N120C(Electrically Isolated Backside)Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCE Isolated Backside*IC25
ixgr35n120b.pdf

VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ)HiPerFASTTM IGBTIXGR 35N120B 1200 V 70 A 3.3 V 160 nsISOPLUS247TM1200 V 70 A 4.0 V 115 nsIXGR 35N120C(Electrically Isolated Backside)Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS 247E153432VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 VGVGEM Transient 30 VCE Isolated Backside*IC25
ixgr35n120bd1.pdf

Advanced Technical InformationIXGR 35N120BD1High Voltage IGBTVCES = 1200 Vwith DiodeIC25 = 54 A(Electrically Isolated Back Surface)VCE(sat) = 3.5 Vtfi(typ) = 160 nsSymbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 (IXGR)VCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VVGES Continuous 20 V(TAB)VGEM Transient 30 V GCEIC25 TC = 25
Другие IGBT... IXGR16N170AH1 , IXGR24N120C3D1 , IXGR24N60C , IXGR32N170AH1 , IXGR32N170H1 , IXGR32N90B2D1 , IXGR35N120B , IXGR35N120BD1 , IRGB20B60PD1 , IXGR39N60B , IXGR39N60BD1 , IXGR40N60B , IXGR40N60B2 , IXGR40N60B2D1 , IXGR40N60C , IXGR40N60C2 , IXGR40N60C2D1 .
History: MMG100J060U | CM400DY-66H | SL25T120FL | DIM250PLM33-TL
History: MMG100J060U | CM400DY-66H | SL25T120FL | DIM250PLM33-TL



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
2n2222a-1726 datasheet | bc516 | 2n3391 equivalent | a562 transistor | oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539