DG20X06T2 Todos los transistores

 

DG20X06T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DG20X06T2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 166 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 42 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.45 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 10 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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DG20X06T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:671K  cn starpower
 dg20x06t2.pdf pdf_icon

DG20X06T2

DG20X06T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG20X06T2 600V/20A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology Low switching loss Maximum junction temperature 175oC

Otros transistores... VBGT15N135 , VBGT25N135 , VBGT30N135 , DG10X06T1 , DG10X12T2 , DG120X07T2 , DG15X06T1 , DG15X12T2 , YGW40N65F1 , DG30X07T2 , HGTG12N60D1D , SIG20N60F , SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , SIG25N60B .

History: MMG800D060B6EN | IXGM25N100A | HMG40N65T

 

 
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