G12N50E1D Todos los transistores

 

G12N50E1D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: G12N50E1D

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 75

Tensión colector-emisor (Vce): 500

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 4.5

Tensión emisor-compuerta (Veg): 20

Corriente del colector DC máxima (Ic): 12

Temperatura operativa máxima (Tj), °C: 175

Tiempo de elevación: 50

Empaquetado / Estuche: TO218

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G12N50E1D Datasheet (PDF)

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