IXGR50N60B2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGR50N60B2

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 200 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 68 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 240 pF

Encapsulados: ISOPLUS247

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IXGR50N60B2 datasheet

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IXGR50N60B2

IXGR 50N60B2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 50N60B2D1 IC25 = 68 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.2 V B2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 65 ns (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary Data Sheet IXGR_B2 IXGR_B2D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (IXGR) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G (ISOLATED TAB) VGES C

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IXGR50N60B2

IXGR 50N60B2 VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGR 50N60B2D1 IC25 = 68 A ISOPLUS247TM VCE(sat) = 2.2 V B2-Class High Speed IGBTs tfi(typ) = 65 ns (Electrically Isolated Back Surface) Preliminary Data Sheet IXGR_B2 IXGR_B2D1 Symbol Test Conditions Maximum Ratings ISOPLUS247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (IXGR) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V G (ISOLATED TAB) VGES C

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IXGR50N60B2

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IXGR50N60B2

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