DG30X07T2 Todos los transistores

 

DG30X07T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DG30X07T2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

DG30X07T2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:472K  cn starpower
 dg30x07t2.pdf pdf_icon

DG30X07T2

DG30X07T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG30X07T2 650V/30A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology 6s short circuit capability Low switching loss Ma

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History: IXGV25N250S | IXGH60N60B2 | IGW40T120 | BG150B12UY3-I | MWI35-12A7 | RGS80TSX2DHR | MUBW50-06A8

 

 
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