DG30X07T2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG30X07T2
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 220 nC
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de DG30X07T2 - IGBT
DG30X07T2 Datasheet (PDF)
dg30x07t2.pdf
DG30X07T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG30X07T2 650V/30A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology 6s short circuit capability Low switching loss Ma
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