DG30X07T2 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DG30X07T2
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 208 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 70 nS
Encapsulados: TO247
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DG30X07T2 datasheet
dg30x07t2.pdf
DG30X07T2 IGBT Discrete DOSEMI IGBT DG30X07T2 650V/30A IGBT with Diode General Description DOSEMI IGBT Power Discrete provides ultra low conduction loss as well as low switching loss. They are designed for the applications such as general inverters and UPS. Features Low VCE(sat) Fast IGBT technology 6 s short circuit capability Low switching loss Ma
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