IXGT20N120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGT20N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 150 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 20 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 90 pF
Encapsulados: TO268
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IXGT20N120 datasheet
ixgh20n120 ixgt20n120.pdf
VCES = 1200 V IXGH 20N120 IGBT IC25 = 40 A IXGT 20N120 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G D S IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A TO-268 (IXGT) ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A
ixgt20n120.pdf
VCES = 1200 V IXGH 20N120 IGBT IC25 = 40 A IXGT 20N120 VCE(sat) = 2.5 V tfi(typ) = 380 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 (IXGH) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G D S IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A TO-268 (IXGT) ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A
ixgt20n120b.pdf
IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM
ixgh20n120b ixgt20n120b.pdf
IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM
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