IXGT20N140C3H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGT20N140C3H1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 12 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 145 pF

Encapsulados: TO268

 Búsqueda de reemplazo de IXGT20N140C3H1 IGBT

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXGT20N140C3H1 datasheet

 ..1. Size:99K  ixys
ixgt20n140c3h1.pdf pdf_icon

IXGT20N140C3H1

 6.1. Size:565K  ixys
ixgt20n120b.pdf pdf_icon

IXGT20N140C3H1

IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM

 6.2. Size:568K  ixys
ixgh20n120b ixgt20n120b.pdf pdf_icon

IXGT20N140C3H1

IXGH 20N120B VCES = 1200 V High Voltage IGBT IXGT 20N120B IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.4 V Preliminary Data Sheet tfi(typ) = 160 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C40 A TO-247 AD (IXGH) IC110 TC = 110 C20 A ICM

 6.3. Size:53K  ixys
ixgh20n100 ixgt20n100.pdf pdf_icon

IXGT20N140C3H1

IXGH 20N100 VCES = 1000 V IGBT IXGT 20N100 IC25 = 40 A VCE(sat) = 3.0 V tfi(typ) = 280 ns Preliminary data Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1000 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 MW 1000 V E VGES Continuous 20 V (TAB) VGEM Transient 30 V TO-247 AD (IXGH) IC25 TC = 25 C40 A IC90 TC = 90 C20 A ICM TC = 25 C, 1 ms 80 A S

Otros transistores... IXGT10N170, IXGT10N170A, IXGT15N120B2D1, IXGT16N170, IXGT16N170A, IXGT16N170AH1, IXGT20N120, IXGT20N120B, CRG60T60AN3H, IXGT22N170, IXGT24N170, IXGT24N170A, IXGT24N170AH1, IXGT25N160, IXGT25N250, IXGT28N120B, IXGT28N120BD1