IXGT24N170AH1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGT24N170AH1

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1700 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 24 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.5 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 198 pF

Encapsulados: TO268

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IXGT24N170AH1 datasheet

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IXGT24N170AH1

Preliminary Technical Information High Voltage VCES = 1700V IXGH24N170AH1 IGBTs w/Diode IXGT24N170AH1 IC25 = 24A VCE(sat) 6.0V tfi(typ) = 40ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 24 A

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IXGT24N170AH1

IXGH 24N170A VCES = 1700 V High Voltage IXGT 24N170A IC25 = 24 A IGBT VCE(sat) = 6.0 V tfi(typ) = 45 ns Preliminary Data Sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT) VCES TJ = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1700 V G VGES Continuous 20 V E C (TAB) VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C24 A TO-247 AD (IXGH) IC90 TC = 90 C16 A ICM

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IXGT24N170AH1

Preliminary Technical Information High Voltage VCES = 1700V IXGH24N170A IGBTs IXGT24N170A IC25 = 24A VCE(sat) 6.0V tfi(typ) = 40ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V G C (TAB) VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V C E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V IC25 TC = 25 C 24 A TO-268 (IX

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IXGT24N170AH1

Advance Technical Information VCES = 1700V High Voltage IXGH24N170 IC25 = 50A IGBT IXGT24N170 VCE(sat) 3.3V tfi(typ) = 250ns TO-247 (IXGH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TC = 25 C to 150 C 1700 V VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1700 V G C C (TAB) VGES Continuous 20 V E VGEM Transient 30 V TO-268 (IXGT) IC25 TC = 25 C 50 A IC9

Otros transistores... IXGT16N170A, IXGT16N170AH1, IXGT20N120, IXGT20N120B, IXGT20N140C3H1, IXGT22N170, IXGT24N170, IXGT24N170A, SGT50T65FD1PN, IXGT25N160, IXGT25N250, IXGT28N120B, IXGT28N120BD1, IXGT28N60BD1, IXGT2N250, IXGT30N120B3D1, IXGT30N60B