IXGT24N170AH1 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: IXGT24N170AH1
Тип транзистора: IGBT + Diode
Тип управляющего канала: N
Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1700 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 24 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 5 V
Tjⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
trⓘ - Время нарастания типовое: 36 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 198 pF
Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 140 nC
Тип корпуса: TO268
Аналог (замена) для IXGT24N170AH1
IXGT24N170AH1 Datasheet (PDF)
ixgt24n170ah1.pdf
Preliminary Technical InformationHigh VoltageVCES = 1700VIXGH24N170AH1IGBTs w/DiodeIXGT24N170AH1IC25 = 24AVCE(sat) 6.0Vtfi(typ) = 40nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 V CEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 24 A
ixgh24n170a ixgt24n170a.pdf
IXGH 24N170AVCES = 1700 VHigh VoltageIXGT 24N170AIC25 = 24 AIGBTVCE(sat) = 6.0 Vtfi(typ) = 45 nsPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-268 (IXGT)VCES TJ = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1700 VGVGES Continuous 20 VEC (TAB)VGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C24 ATO-247 AD (IXGH)IC90 TC = 90C16 AICM
ixgt24n170a.pdf
Preliminary Technical InformationHigh VoltageVCES = 1700VIXGH24N170AIGBTsIXGT24N170AIC25 = 24AVCE(sat) 6.0Vtfi(typ) = 40nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VGC (TAB)VCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 V CEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VIC25 TC = 25C 24 ATO-268 (IX
ixgt24n170.pdf
Advance Technical InformationVCES = 1700VHigh Voltage IXGH24N170IC25 = 50AIGBT IXGT24N170VCE(sat) 3.3Vtfi(typ) = 250nsTO-247 (IXGH)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TC = 25C to 150C 1700 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1700 VGC C (TAB)VGES Continuous 20 VEVGEM Transient 30 VTO-268 (IXGT)IC25 TC = 25C 50 AIC9
Другие IGBT... IXGT16N170A , IXGT16N170AH1 , IXGT20N120 , IXGT20N120B , IXGT20N140C3H1 , IXGT22N170 , IXGT24N170 , IXGT24N170A , YGW60N65F1A1 , IXGT25N160 , IXGT25N250 , IXGT28N120B , IXGT28N120BD1 , IXGT28N60BD1 , IXGT2N250 , IXGT30N120B3D1 , IXGT30N60B .
Список транзисторов
Обновления
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2