IXGT30N60B2 Todos los transistores

 

IXGT30N60B2 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGT30N60B2
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 190 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8(max) V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 15 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 115 pF
   Paquete / Cubierta: TO268
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXGT30N60B2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:576K  ixys
 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

 ..2. Size:578K  ixys
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IXGT30N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VIXGH 30N60B2HiPerFASTTM IGBTIC25 = 70 AIXGT 30N60B2VCE(sat)

 0.1. Size:506K  ixys
 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

 0.2. Size:600K  ixys
 ixgh30n60b2d1 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

IXGT30N60B2

Advance Technical DataVCES = 600 VHiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1IC25 = 70 AIXGT 30N60B2D1VCE(sat)

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History: DM2G150SH12AE | TT060U065FB | SPM1003 | APT15GT60KR

 

 
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