IXGT30N60B2 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

IXGT30N60B2 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: IXGT30N60B2

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 190 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V

|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 70 A @25℃

Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8(max) V @25℃

tr ⓘ - Время нарастания типовое: 15 nS

Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 115 pF

Тип корпуса: TO268

Аналог (замена) для IXGT30N60B2

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

..1. Size:576K ixys
ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

..2. Size:578K ixys
ixgh30n60b2 ixgt30n60b2.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V IXGH 30N60B2 HiPerFASTTM IGBT IC25 = 70 A IXGT 30N60B2 VCE(sat)

0.1. Size:506K ixys
ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)

0.2. Size:600K ixys
ixgh30n60b2d1 ixgt30n60b2d1.pdf pdf_icon

Advance Technical Data VCES = 600 V HiPerFASTTM IGBT IXGH 30N60B2D1 IC25 = 70 A IXGT 30N60B2D1 VCE(sat)