SIG25N60B - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIG25N60B
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 170 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 50 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.9 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 93 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 23 nC
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de SIG25N60B - IGBT
SIG25N60B Datasheet (PDF)
sig25n60f sig25n60p sig25n60w sig25n60b.pdf
SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor600V Trench and Super Junction IGBTSIG25N60*Rev. 0.3Sep.2021www.supersemi.com.cnSIG25N60F/SIG25N60P/SIG25N60W/SIG25N60B600V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 600 Vdesigned according to the superjunction (SJ) IC 25 Aprinciple. The SJ-IGBT series pr
psig25-06.pdf
ECO-PACTM 2IGBT Module IC25 = 24.5 APSIG 25/06VCES = 600 VPSI 25/06*Short Circuit SOA CapabilitySquare RBSOA VCE(sat)typ.= 2.4 VPSIS 25/06*PSSI 25/06*Preliminary Data SheetLN 9 S18 A1 JK 10PSIGP 9PSIL 9E 2PSI 25/06* PSIS 25/06*PSIG 25/06 PSSI 25/06*G 1 0X 1 3K 1 0*NTC optionalN T CIGBTsX 1 6X 1 5X 1 8Symbol Conditions Maximum Ratings X 15
psig25-12.pdf
ECO-PACTM 2IGBT Module IC25 = 30 APSIG 25/12Short Circuit SOA CapabilityVCES = 1200 VPSI 25/12*Square RBSOAVCE(sat)typ.= 2.6 VPSIS 25/12*PSSI 25/12*Preliminary Data SheetLN 9 S18 A1 JK 10PSIGP 9PSIL 9E 2PSI 25/12* PSIS 25/12*PSIG 25/12 PSSI 25/12*G 10X 13*NTC optional K 10IGBTsN TCX 16X 15X 18Symbol Conditions Maximum RatingsX 15VCES TVJ
Otros transistores... DG20X06T2 , DG30X07T2 , HGTG12N60D1D , SIG20N60F , SIG20N60P , SIG25N60F , SIG25N60P , SIG25N60W , GT30F125 , SIG30N60P , SIG30N60W , DG40F12T2 , DG40H12T2Y , DG50H12T2Z , DG50X07T2 , DG75H12T2 , DG75X07T2L .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2