SIG30N60P Todos los transistores

SIG30N60P IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SIG30N60P

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 170 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.1 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 93 pF

Encapsulados: TO220

- Selección ⓘ de transistores por parámetros