IXGX28N140B3H1 Todos los transistores

 

IXGX28N140B3H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGX28N140B3H1
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1400 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 60 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 36 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 163 pF
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXGX28N140B3H1 Datasheet (PDF)

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 ixgx28n140b3h1.pdf pdf_icon

IXGX28N140B3H1

GenX3TM 1400V VCES = 1400VIXGH28N140B3H1IC110 = 28AIGBTs w/ DiodeIXGX28N140B3H1 VCE(sat) 3.60V IXGK28N140B3H1Avalanche RatedTO-247 (IXGH)GCTabESymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS247 (IXGX)VCES TJ = 25C to 150C 1400 VVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1400 VVGES Continuous 20 VVGEM Transient 30 VGCIC25 TC = 25C

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