IXGX35N120C IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGX35N120C

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 350 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 70 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 27 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 260 pF

Encapsulados: PLUS247

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IXGX35N120C datasheet

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Preliminary Data Sheet IXGK 35N120C VCES = 1200 V HiPerFASTTM IGBT IXGX 35N120C IC25 = 70 A IXGK 35N120CD1 VCE(sat) = 4.0 V IXGX 35N120CD1 tfi(typ) = 115 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C C (TAB) VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC9

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Preliminary Data Sheet IXGK 35N120B VCES = 1200 V HiPerFASTTM IGBT IXGX 35N120B IC25 = 70 A IXGK 35N120BD1 VCE(sat) = 3.3 V IXGX 35N120BD1 tfi(typ) = 160 ns (D1) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXGK) VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V VGES Continuous 20 V G C C (TAB) VGEM Transient 30 V E IC25 TC = 25 C70 A IC9

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