IXGX400N30A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXGX400N30A3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1000 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 300 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 400 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.15(max) V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 45 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 1350 pF

Encapsulados: PLUS247

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IXGX400N30A3 datasheet

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IXGX400N30A3

GenX3TM 300V IGBTs VCES = 300V IXGK400N30A3 IC25 = 400A IXGX400N30A3 VCE(sat) 1.15V Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 10kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V C Tab E E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXGX) IC25 TC = 25 C (

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IXGX400N30A3

GenX3TM 300V IGBT VCES = 300V IXGK400N30A3 IC25 = 400A IXGX400N30A3 VCE(sat) 1.15V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 10kHz switching TO-264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V (TAB) E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM IC25 TC = 25 C 400 A IC110 TC

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IXGX400N30A3

IXGX 40N60BD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IC25 = 75 A IGBT with Diode VCE(sat) = 2.1 V tfi(typ) = 180 ns Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (IXGX) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G = Gate C = Collector IC25 TC = 25 C75 A E = Emitter Tab = Collector IC110

Otros transistores... IXGX320N60B3, IXGX32N170AH1, IXGX32N170H1, IXGX35N120B, IXGX35N120BD1, IXGX35N120C, IXGX35N120CD1, IXGX400N30A, IRG4PF50W, IXGX40N60BD1, IXGX50N120C3H1, IXGX50N60A2D1, IXGX50N60B2D1, IXGX50N60BD1, IXGX50N60C2D1, IXGX50N90B2D1, IXGX55N120A3H1