IXGX400N30A3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXGX400N30A3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 300 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 400 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 150 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.15(max) V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 45 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 1350 pF
Тип корпуса: PLUS247
Аналог (замена) для IXGX400N30A3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXGX400N30A3 даташит
ixgx400n30a3.pdf
GenX3TM 300V IGBTs VCES = 300V IXGK400N30A3 IC25 = 400A IXGX400N30A3 VCE(sat) 1.15V Ultra-Low Vsat PT IGBTs for up to 10kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V C Tab E E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM (IXGX) IC25 TC = 25 C (
ixgx400n30a.pdf
GenX3TM 300V IGBT VCES = 300V IXGK400N30A3 IC25 = 400A IXGX400N30A3 VCE(sat) 1.15V Ultra-low Vsat PT IGBTs for up to 10kHz switching TO-264 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 300 V G C VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 300 V (TAB) E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V PLUS247TM IC25 TC = 25 C 400 A IC110 TC
ixgx40n60bd1.pdf
IXGX 40N60BD1 VCES = 600 V HiPerFASTTM IC25 = 75 A IGBT with Diode VCE(sat) = 2.1 V tfi(typ) = 180 ns Preliminary Data Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS247 VCES TJ = 25 C to 150 C 600 V (IXGX) VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 600 V (TAB) VGES Continuous 20 V VGEM Transient 30 V G = Gate C = Collector IC25 TC = 25 C75 A E = Emitter Tab = Collector IC110
Другие IGBT... IXGX320N60B3, IXGX32N170AH1, IXGX32N170H1, IXGX35N120B, IXGX35N120BD1, IXGX35N120C, IXGX35N120CD1, IXGX400N30A, IRG4PF50W, IXGX40N60BD1, IXGX50N120C3H1, IXGX50N60A2D1, IXGX50N60B2D1, IXGX50N60BD1, IXGX50N60C2D1, IXGX50N90B2D1, IXGX55N120A3H1
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
oc44 transistor datasheet | 2sa1210 | 2sc3792 | mps2907a transistor equivalent | 2sc1626 | b560 transistor | 2sc632a | c3856



