IXGX82N120A3 Todos los transistores

 

IXGX82N120A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGX82N120A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 260 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 520 pF
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXGX82N120A3 Datasheet (PDF)

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IXGX82N120A3

Preliminary Technical InformationGenX3TM 1200V VCES = 1200VIXGK82N120A3IC110 = 82AIGBTsIXGX82N120A3 VCE(sat) 2.05V Ultra-Low-Vsat PT IGBTs forup to 3kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGCTabVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 V EEVGES Continuous 20 VVGEM Transient 3

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IXGX82N120A3

Advance Technical InformationGenX3TM 1200V VCES = 1200VIXGK82N120B3IC110 = 82AIGBTsIXGX82N120B3 VCE(sat) 3.20V High-Speed Low-Vsat PT IGBTsfor 3 - 20 kHz SwitchingTO-264 (IXGK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VGVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 VC(TAB)EEVGES Continuous 20 VVGEM Transient

Otros transistores... IXGX55N120A3H1 , IXGX60N60B2D1 , IXGX60N60C2D1 , IXGX64N60B3D1 , IXGX72N60A3H1 , IXGX72N60B3H1 , IXGX72N60C3H1 , IXGX75N250 , GT30J124 , IXGX82N120B3 , IXGY2N120 , IXLF19N250A , IXRA15N120 , STGWT40HP65FB , IXRH40N120 , IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 .

History: DGC40H120M2 | IRG4PC60UPBF | FII30-06D | NGTG50N60FWG | IKB10N60T | STGB3NB60HD | SGP10N60A

 

 
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