IXGX82N120A3 Todos los transistores

 

IXGX82N120A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGX82N120A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 260 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.83 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 75 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 520 pF
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXGX82N120A3 datasheet

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IXGX82N120A3

Preliminary Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGK82N120A3 IC110 = 82A IGBTs IXGX82N120A3 VCE(sat) 2.05V Ultra-Low-Vsat PT IGBTs for up to 3kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G C Tab VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient 3

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IXGX82N120A3

Advance Technical Information GenX3TM 1200V VCES = 1200V IXGK82N120B3 IC110 = 82A IGBTs IXGX82N120B3 VCE(sat) 3.20V High-Speed Low-Vsat PT IGBTs for 3 - 20 kHz Switching TO-264 (IXGK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V G VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V C (TAB) E E VGES Continuous 20 V VGEM Transient

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