IXGY2N120 Todos los transistores

 

IXGY2N120 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXGY2N120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12 pF
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IXGY2N120 datasheet

 ..1. Size:126K  ixys
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IXGY2N120

Preliminary Data Sheet VCES IC90 VCE(SAT) High Voltage IGBT IXGY 2N120 1200 V 2.0 A 3 V TO-252 AA (IXGY) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V VCGR TJ = 25 C to 150 C; RGE = 1 M 1200 V G E VGES Continuous 20 V C (TAB) VGEM Transient 30 V G = Gate C = Collector IC25 TC = 25 C 5 A E = Emitter TAB = Collector IC90 TC = 90 C 2 A ICM TC

Otros transistores... IXGX60N60C2D1 , IXGX64N60B3D1 , IXGX72N60A3H1 , IXGX72N60B3H1 , IXGX72N60C3H1 , IXGX75N250 , IXGX82N120A3 , IXGX82N120B3 , GT30J124 , IXLF19N250A , IXRA15N120 , STGWT40HP65FB , IXRH40N120 , IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 , IXSA15N120B , IXSA20N60B2D1 .

 

 

 


 
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