IXGY2N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXGY2N120
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 25 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 5 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 25 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 12 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 9 nC
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de IXGY2N120 - IGBT
IXGY2N120 Datasheet (PDF)
ixgy2n120.pdf
Preliminary Data SheetVCES IC90 VCE(SAT)High Voltage IGBTIXGY 2N1201200 V 2.0 A 3 VTO-252 AA (IXGY)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 150C 1200 VVCGR TJ = 25C to 150C; RGE = 1 M 1200 VGEVGES Continuous 20 VC (TAB)VGEM Transient 30 VG = Gate C = CollectorIC25 TC = 25C 5 AE = Emitter TAB = CollectorIC90 TC = 90C 2 AICM TC
Otros transistores... IXGX60N60C2D1 , IXGX64N60B3D1 , IXGX72N60A3H1 , IXGX72N60B3H1 , IXGX72N60C3H1 , IXGX75N250 , IXGX82N120A3 , IXGX82N120B3 , FGD4536 , IXLF19N250A , IXRA15N120 , STGWT40HP65FB , IXRH40N120 , IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 , IXSA15N120B , IXSA20N60B2D1 .
Liste
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IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2