IXLF19N250A IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXLF19N250A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 32 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 103 pF
Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAC
Búsqueda de reemplazo de IXLF19N250A IGBT
IXLF19N250A datasheet
ixlf19n250a.pdf
IXLF 19N250A IC25 = 32 A High Voltage IGBT VCES = 2500 V in High Voltage ISOPLUS i4-PACTM VCE(sat)= 3.2 V tf = 250 ns 5 1 1 2 5 2 IGBT Features High Voltage IGBT Symbol Conditions Maximum Ratings - substitute for high voltage MOSFETs with significantly lower voltage drop VCES TVJ = 25 C to 150 C 2500 V and comparable switching speed VGES 20 V - substitute for hi
Otros transistores... IXGX64N60B3D1 , IXGX72N60A3H1 , IXGX72N60B3H1 , IXGX72N60C3H1 , IXGX75N250 , IXGX82N120A3 , IXGX82N120B3 , IXGY2N120 , FGH60N60SMD , IXRA15N120 , STGWT40HP65FB , IXRH40N120 , IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 , IXSA15N120B , IXSA20N60B2D1 , IXSH10N60B2D1 .
History: FGH60N60UFD
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