IXLF19N250A Todos los transistores

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IXLF19N250A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXLF19N250A

Polaridad de transistor: N-Channel

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc):

Tensión colector-emisor (Vce): 2500V

Voltaje de saturación colector-emisor (Vce sat): 3.9V

Tensión emisor-compuerta (Veg):

Corriente del colector DC máxima (Ic): 32A

Temperatura operativa máxima (Tj), °C:

Tiempo de elevación:

Capacitancia de salida (Cc), pF:

Empaquetado / Estuche: ISOPLUS_i4-PAC(3HV)

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IXLF19N250A Datasheet (PDF)

1.1. ixlf19n250a.pdf Size:247K _igbt_a

IXLF19N250A
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APPLICATION NOTE: IXAN0013 CAPACITOR CHARGE/DISCHARGE CIRCUITS, UTILIZING HIGH VOLTAGE IGBTS AND ZCS RESONANT MODE TECHNIQUES By:ABHIJIT D.PATHAK There are many applications which require the resonating choke, leakage inductance of the pulse power. The needed burst of energy is de- step-up transformer (as reflected on the primary rived by rapidly discharging a previously charged side)

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