IXLF19N250A Todos los transistores

 

IXLF19N250A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXLF19N250A
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 32 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 103 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 142 nC
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAC
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXLF19N250A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  ixys
 ixlf19n250a.pdf pdf_icon

IXLF19N250A

IXLF 19N250AIC25 = 32 AHigh Voltage IGBTVCES = 2500 Vin High VoltageISOPLUS i4-PACTMVCE(sat)= 3.2 Vtf = 250 ns511252 IGBT Features High Voltage IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings- substitute for high voltage MOSFETswith significantly lower voltage dropVCES TVJ = 25C to 150C 2500 Vand comparable switching speedVGES 20 V- substitute for hi

Otros transistores... IXGX64N60B3D1 , IXGX72N60A3H1 , IXGX72N60B3H1 , IXGX72N60C3H1 , IXGX75N250 , IXGX82N120A3 , IXGX82N120B3 , IXGY2N120 , FGD4536 , IXRA15N120 , STGWT40HP65FB , IXRH40N120 , IXRP15N120 , IXSA10N60B2D1 , IXSA15N120B , IXSA20N60B2D1 , IXSH10N60B2D1 .

History: SRE80N065FSU2 | SGB15N60HS | IRGP4066D-E | IRGPS40B120UD

 

 
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