IXLF19N250A - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXLF19N250A
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 250 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 2500 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 32 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 3.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 8 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 50 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 103 pF
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 142 nC
Paquete / Cubierta: ISOPLUS-I4-PAC
Búsqueda de reemplazo de IXLF19N250A IGBT
IXLF19N250A Datasheet (PDF)
ixlf19n250a.pdf
IXLF 19N250AIC25 = 32 AHigh Voltage IGBTVCES = 2500 Vin High VoltageISOPLUS i4-PACTMVCE(sat)= 3.2 Vtf = 250 ns511252 IGBT Features High Voltage IGBTSymbol Conditions Maximum Ratings- substitute for high voltage MOSFETswith significantly lower voltage dropVCES TVJ = 25C to 150C 2500 Vand comparable switching speedVGES 20 V- substitute for hi
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