IXRP15N120 Todos los transistores

 

IXRP15N120 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXRP15N120
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 300 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 25 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.5 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 18 nS
   Paquete / Cubierta: TO220
 

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IXRP15N120 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:82K  ixys
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IXRP15N120

Advanced Technical Information IXRP 15N120VCES = 1200 VIGBT with ReverseIC25 = 25 ABlocking capabilityVCE(sat) typ. = 2.5 V2TO-220AB1TAB1 = Gate; 2, TAB = Collector; 3 = Emitter3FeaturesIGBT IGBT with NPT (non punch through) Symbol Conditions Maximum Ratings structure VCES TVJ = 25C to 150C 1200 V reverse blocking capability VGES Conti

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