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SIW120N65G2P2D IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: SIW120N65G2P2D
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 69 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 262 pF
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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SIW120N65G2P2D datasheet

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SIW120N65G2P2D

SUPER-SEMI Super Junction Insulated Gate Bipolar Transistor 650V Trench and Super Junction IGBT SI*120N65G2P2D Rev. 0.9 Nov. 2023 www.supersemi.com.cn SIW120N65G2P2D 650V Trench and Super Junction IGBT General Description Super-Semi Trench and Super Junction IGBTs, VCE 650 V designed according to the super junction (SJ) IC 120 A technology. The SJ-IGBT series provides low VCE(sa

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