SIW120N65G2P2D - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SIW120N65G2P2D
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 400 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 650 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 140 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 69 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 262 pF
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de SIW120N65G2P2D IGBT
SIW120N65G2P2D Datasheet (PDF)
siw120n65g2p2d.pdf

SUPER-SEMISuper Junction Insulated Gate Bipolar Transistor650V Trench and Super Junction IGBTSI*120N65G2P2DRev. 0.9Nov. 2023www.supersemi.com.cnSIW120N65G2P2D650V Trench and Super Junction IGBTGeneral DescriptionSuper-Semi Trench and Super Junction IGBTs,VCE 650 Vdesigned according to the super junction (SJ)IC 120 Atechnology. The SJ-IGBT series provides lowVCE(sa
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History: CM1200HA-50H | CM150TX-24S
History: CM1200HA-50H | CM150TX-24S



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
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