IXXA50N60B3 Todos los transistores

 

IXXA50N60B3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXXA50N60B3

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V

|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃

trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS

Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 195 pF

Encapsulados: TO263

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IXXA50N60B3 datasheet

 ..1. Size:224K  ixys
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IXXA50N60B3

Preliminary Technical Information VCES = 600V 600V XPTTM IGBTs IXXA50N60B3 IC110 = 50A GenX3TM IXXP50N60B3 VCE(sat) 1.80V IXXH50N60B3 TO-263 AA (IXXA) Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching G E C (Tab) TO-220AB (IXXP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V VG

Otros transistores... IXST24N60BD1 , IXST30N60B2D1 , IXST35N120B , SIW100N65G2P2D , IXST45N120B , IXSX35N120BD1 , IXSX40N60BD1 , IXSX80N60B , SGH80N60UFD , IXXH100N60B3 , IXXH100N60C3 , IXXH30N60B3D1 , IXXH30N60C3D1 , IXXH50N60B3 , IXXH50N60B3D1 , IXXH50N60C3 , IXXH50N60C3D1 .

History: STGW100H65FB2-4 | IXSH45N120B | SGR5N60RUF | HIA30N140IH-DA | IXSR40N60BD1 | SPF15N65T1T2TL

 

 

 

 

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