IXXP50N60B3 Todos los transistores

 

IXXP50N60B3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXXP50N60B3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 195 pF
   Paquete / Cubierta: TO220
 

 Búsqueda de reemplazo de IXXP50N60B3 IGBT

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXXP50N60B3 datasheet

 ..1. Size:224K  ixys
 ixxp50n60b3.pdf pdf_icon

IXXP50N60B3

Preliminary Technical Information VCES = 600V 600V XPTTM IGBTs IXXA50N60B3 IC110 = 50A GenX3TM IXXP50N60B3 VCE(sat) 1.80V IXXH50N60B3 TO-263 AA (IXXA) Extreme Light Punch Through IGBT for 5-30 kHz Switching G E C (Tab) TO-220AB (IXXP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V VG

Otros transistores... IXXH75N60B3 , IXXH75N60B3D1 , IXXH75N60C3 , IXXH75N60C3D1 , IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 , IXXK200N60B3 , IXXK200N60C3 , TGAN20N135FD , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IXXX200N60C3 , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , IXYH82N120C3 , IXYN82N120C3H1 , MDI400-12E4 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.