IXXP50N60B3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXP50N60B3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 600 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 120 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.55 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 40 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 195 pF
Paquete / Cubierta: TO220
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IXXP50N60B3 Datasheet (PDF)
ixxp50n60b3.pdf
Preliminary Technical InformationVCES = 600V600V XPTTM IGBTs IXXA50N60B3IC110 = 50AGenX3TM IXXP50N60B3 VCE(sat) 1.80V IXXH50N60B3TO-263 AA (IXXA)Extreme Light Punch ThroughIGBT for 5-30 kHz SwitchingGEC (Tab)TO-220AB (IXXP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 VVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VVG
Otros transistores... IXXH75N60B3 , IXXH75N60B3D1 , IXXH75N60C3 , IXXH75N60C3D1 , IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 , IXXK200N60B3 , IXXK200N60C3 , NCE80TD65BT , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IXXX200N60C3 , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , IXYH82N120C3 , IXYN82N120C3H1 , MDI400-12E4 .
Liste
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