IXXX200N60B3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXX200N60B3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1630 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 380 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.4 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 100 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 570 pF
Encapsulados: PLUS247
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IXXX200N60B3 datasheet
ixxx200n60b3.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK200N60B3 IC110 = 200A GenX3TM IXXX200N60B3 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V VGE
ixxx200n60c3.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK200N60C3 IC110 = 200A GenX3TM IXXX200N60C3 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 80ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V VGEM
ixxx200n65b4.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXXK200N65B4 IC110 = 200A GenX4TM IXXX200N65B4 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) G C Symbol Test Conditions Maximum Ratings E Tab VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to
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