IXXX200N60C3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXXX200N60C3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Máxima potencia disipada (Pc), W: 1630
Tensión máxima colector-emisor |Vce|, V: 600
Tensión máxima puerta-emisor |Vge|, V: 20
Colector de Corriente Continua a 25℃ |Ic|, A: 340
Voltaje de saturación colector-emisor |VCE(sat)|, typ, V: 1.6
Tensión máxima de puerta-umbral |VGE(th)|, V: 6
Temperatura máxima de unión (Tj), ℃: 175
Tiempo de subida (tr), typ, nS: 100
Capacitancia de salida (Cc), typ, pF: 570
Carga total de la puerta (Qg), typ, nC: 315
Paquete / Cubierta: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de IXXX200N60C3 - IGBT
IXXX200N60C3 Datasheet (PDF)
ixxx200n60c3.pdf
Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK200N60C3IC110 = 200AGenX3TM IXXX200N60C3 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 20-60kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 VVGEM
ixxx200n60b3.pdf
Advance Technical InformationVCES = 600VXPTTM 600V IXXK200N60B3IC110 = 200AGenX3TM IXXX200N60B3 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVCES TJ = 25C to 175C 600 V GCVCGR TJ = 25C to 175C, RGE = 1M 600 VETabVGES Continuous 20 VVGE
ixxx200n65b4.pdf
Preliminary Technical InformationVCES = 650VXPTTM 650V IGBT IXXK200N65B4IC110 = 200AGenX4TM IXXX200N65B4 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80nsExtreme Light Punch ThroughIGBT for 10-30kHz SwitchingTO-264 (IXXK)GCSymbol Test Conditions Maximum RatingsETabVCES TJ = 25C to 175C 650 VVCGR TJ = 25C to
Otros transistores... IXXH75N60C3D1 , IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 , IXXK200N60B3 , IXXK200N60C3 , IXXP50N60B3 , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , CRG75T60AK3HD , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , IXYH82N120C3 , IXYN82N120C3H1 , MDI400-12E4 , MIAA10WB600TMH , MIAA10WD600TMH , MIAA10WE600TMH .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: BRGH25N120D | BRGH15N120D | BRGB6N65DP | BRG60N60D | BRG10N120D | TT100N120PF1E | TT075U065FQB | TT075U065FBC | TT075N120EBC | TT075N065EQ | TT060U065FQ