IXXX200N60C3 - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: IXXX200N60C3
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1630 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Vge|ⓘ - Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор: 20 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 340 A @25℃
Tj ⓘ - Максимальная температура перехода: 175 ℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.6 V @25℃
tr ⓘ - Время нарастания типовое: 100 nS
Coesⓘ - Выходная емкость, типовая: 570 pF
Тип корпуса: PLUS247
Аналог (замена) для IXXX200N60C3
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
IXXX200N60C3 даташит
ixxx200n60c3.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK200N60C3 IC110 = 200A GenX3TM IXXX200N60C3 VCE(sat) 2.1V tfi(typ) = 80ns Extreme Light Punch Through IGBT for 20-60kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V VGEM
ixxx200n60b3.pdf
Advance Technical Information VCES = 600V XPTTM 600V IXXK200N60B3 IC110 = 200A GenX3TM IXXX200N60B3 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 110ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25 C to 175 C 600 V G C VCGR TJ = 25 C to 175 C, RGE = 1M 600 V E Tab VGES Continuous 20 V VGE
ixxx200n65b4.pdf
Preliminary Technical Information VCES = 650V XPTTM 650V IGBT IXXK200N65B4 IC110 = 200A GenX4TM IXXX200N65B4 VCE(sat) 1.7V tfi(typ) = 80ns Extreme Light Punch Through IGBT for 10-30kHz Switching TO-264 (IXXK) G C Symbol Test Conditions Maximum Ratings E Tab VCES TJ = 25 C to 175 C 650 V VCGR TJ = 25 C to
Другие IGBT... IXXH75N60C3D1 , IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 , IXXK200N60B3 , IXXK200N60C3 , IXXP50N60B3 , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IHW40T60 , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , IXYH82N120C3 , IXYN82N120C3H1 , MDI400-12E4 , MIAA10WB600TMH , MIAA10WD600TMH , MIAA10WE600TMH .
History: SMBH1G100US60 | IXXK200N60C3
History: SMBH1G100US60 | IXXK200N60C3
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
jcs640c | kn2907a | ncep028n85 datasheet | sw50n06 | 2sa1232 | 2sc1940 | ftp08n06a | 2n3405



