IXYB82N120C3H1 Todos los transistores

 

IXYB82N120C3H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXYB82N120C3H1
   Tipo de transistor: IGBT + Diode
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 164 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.75 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 5 V
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
   trⓘ - Tiempo de subida, typ: 78 nS
   Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 285 pF
   Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 215 nC
   Paquete / Cubierta: PLUS264
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXYB82N120C3H1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:254K  ixys
 ixyb82n120c3h1.pdf pdf_icon

IXYB82N120C3H1

1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYB82N120C3H1GenX3TM w/ Diode IC110 = 82A VCE(sat) 3.2V tfi(typ) = 93nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VCEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 V TabVGES Continuous 20 VVG

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History: IRGIB15B60KD1P | IXXH150N60C3 | SKM50GB12V | HCKW75N65BH2

 

 
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