IXYB82N120C3H1 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYB82N120C3H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 164 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.75 V @25℃
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 78 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 285 pF
Paquete / Cubierta: PLUS264
Búsqueda de reemplazo de IXYB82N120C3H1 - IGBT
IXYB82N120C3H1 Datasheet (PDF)
ixyb82n120c3h1.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200VIXYB82N120C3H1GenX3TM w/ Diode IC110 = 82A VCE(sat) 3.2V tfi(typ) = 93nsHigh-Speed IGBTfor 20-50 kHz SwitchingPLUS264TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVCES TJ = 25C to 150C 1200 VCEVCGR TJ = 25C to 150C, RGE = 1M 1200 V TabVGES Continuous 20 VVG
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Liste
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