IXYB82N120C3H1 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXYB82N120C3H1
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1040 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 164 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.75 V @25℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 78 nS
Coesⓘ - Capacitancia de salida, typ: 285 pF
Encapsulados: PLUS264
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IXYB82N120C3H1 datasheet
ixyb82n120c3h1.pdf
1200V XPTTM IGBT VCES = 1200V IXYB82N120C3H1 GenX3TM w/ Diode IC110 = 82A VCE(sat) 3.2V tfi(typ) = 93ns High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching PLUS264TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VCES TJ = 25 C to 150 C 1200 V C E VCGR TJ = 25 C to 150 C, RGE = 1M 1200 V Tab VGES Continuous 20 V VG
Otros transistores... IXXK100N60B3H1 , IXXK100N60C3H1 , IXXK200N60B3 , IXXK200N60C3 , IXXP50N60B3 , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IXXX200N60C3 , MGD623S , IXYH50N120C3 , IXYH82N120C3 , IXYN82N120C3H1 , MDI400-12E4 , MIAA10WB600TMH , MIAA10WD600TMH , MIAA10WE600TMH , MIAA10WF600TMH .
History: 6MBP200VEA060-50
History: 6MBP200VEA060-50
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