MDI400-12E4 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MDI400-12E4
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 1700 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Vge|ⓘ - Tensión máxima puerta-emisor: 20 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 420 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 ℃
trⓘ - Tiempo de subida, typ: 60 nS
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 1740 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MDI400-12E4 - IGBT
MDI400-12E4 Datasheet (PDF)
mii400-12e4 mid400-12e4 mdi400-12e4.pdf
MII400-12E4 MID400-12E4(T) MDI400-12E4Preliminary DataIC25 = 420 AIGBT ModuleVCES = 1200 Vphaseleg and chopper topolgieswith optional temperature sensorVCE(sat) typ. = 2.2 VMII 400-12E4 MID 400-12E4(T) MDI 400-12E43 3 311T1 T1 10D1 D1 D1193 828 811 1 19 9T2 T2D2 D12 D211 1110 2 10 2 26NTC for ...T version only7FeaturesIGBTs T1 - T2
Otros transistores... IXXP50N60B3 , IXXX100N60C3H1 , IXXX200N60B3 , IXXX200N60C3 , IXYB82N120C3H1 , IXYH50N120C3 , IXYH82N120C3 , IXYN82N120C3H1 , FGL60N100BNTD , MIAA10WB600TMH , MIAA10WD600TMH , MIAA10WE600TMH , MIAA10WF600TMH , MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: AOTS40B65H1 | AOTF8B65MQ1 | AOTF5B65M2 | AOTF5B65M1 | AOTF20B65M2 | AOTF20B65M1 | AOTF20B65LN2 | AOTF15B65MQ1 | AOTF15B65M3 | AOTF15B65M2 | AOTF15B60D2