MIEB101H1200EH Todos los transistores

 

MIEB101H1200EH IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MIEB101H1200EH

Tipo de transistor: IGBT

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS

Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 630 W

|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V

|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 183 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.8 V @25℃

Encapsulados: MODULE

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MIEB101H1200EH datasheet

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MIEB101H1200EH

MIEB 101H1200EH IGBT Module VCES = 1200 V IC25 = 183 A H Bridge VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIEB101H1200EH 13, 21 D1 D2 T1 T2 1 9 2 10 19 E72873 15 D3 D4 T3 T4 3 11 4 12 14, 20 Features Application Package SPT+ IGBT technology AC motor drives "E3-Pack" standard outline low saturation voltage Solar inverter Insulated copper b

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MIEB101H1200EH

MIEB 101W1200DPFEH Six-Pack VCES = 1200 V IC25 = 170 A SPT+ IGBT VCE(sat) typ. = 1.9 V Preliminary data Part name (Marking on product) MIEB101W1200DPFEH 13, 21 1 5 9 2 6 10 19 17 15 E 72873 3 7 11 8 12 4 14, 20 Features Application Package SPT+ IGBT technology AC motor control designed for wave soldering low saturation voltage AC servo and robot drive

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Otros transistores... MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , IXRH40N120 , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 .

History: 6MBP50NA060-01 | MIXA20W1200MC

 

 

 

 

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