MIEB101H1200EH - аналоги и описание IGBT

 

MIEB101H1200EH - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MIEB101H1200EH

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 630 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 183 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.8 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MIEB101H1200EH

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MIEB101H1200EH даташит

 ..1. Size:399K  ixys
mieb101h1200eh.pdfpdf_icon

MIEB101H1200EH

MIEB 101H1200EH IGBT Module VCES = 1200 V IC25 = 183 A H Bridge VCE(sat) = 1.8 V Part name (Marking on product) MIEB101H1200EH 13, 21 D1 D2 T1 T2 1 9 2 10 19 E72873 15 D3 D4 T3 T4 3 11 4 12 14, 20 Features Application Package SPT+ IGBT technology AC motor drives "E3-Pack" standard outline low saturation voltage Solar inverter Insulated copper b

 7.1. Size:257K  ixys
mieb101w1200dpfeh.pdfpdf_icon

MIEB101H1200EH

MIEB 101W1200DPFEH Six-Pack VCES = 1200 V IC25 = 170 A SPT+ IGBT VCE(sat) typ. = 1.9 V Preliminary data Part name (Marking on product) MIEB101W1200DPFEH 13, 21 1 5 9 2 6 10 19 17 15 E 72873 3 7 11 8 12 4 14, 20 Features Application Package SPT+ IGBT technology AC motor control designed for wave soldering low saturation voltage AC servo and robot drive

 7.2. Size:454K  ixys
mieb101w1200eh.pdfpdf_icon

MIEB101H1200EH

 8.1. Size:349K  ixys
mieb100w1200dpfteh.pdfpdf_icon

MIEB101H1200EH

Другие IGBT... MIAA15WB600TMH , MIAA15WD600TMH , MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , IXRH40N120 , MIEB101W1200EH , MII100-12A3 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 .

History: MIXA20W1200MC

 

 

 

 

↑ Back to Top
.