MII100-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MII100-12A3
Tipo de transistor: IGBT + Diode
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 560 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 135 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
|VGEth|ⓘ - Tensión máxima de puerta-umbral: 6.5 V
Qgⓘ - Carga total de la puerta, typ: 350 nC
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de MII100-12A3 - IGBT
MII100-12A3 Datasheet (PDF)
mii100-12a3.pdf
MII100-12A3VCES = 2x 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 135AC25VCE(sat) = 2.2VPhase legPart numberMII100-12A3Backside: isolated1763452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medica
Otros transistores... MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , FGPF4533 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 .
Liste
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