MII100-12A3 Todos los transistores

 

MII100-12A3 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MII100-12A3
   Tipo de transistor: IGBT
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES TECNICAS


   Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 560 W
   |Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 135 A
   |VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
   Paquete / Cubierta: MODULE
     - Selección de transistores por parámetros

 

MII100-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ixys
 mii100-12a3.pdf pdf_icon

MII100-12A3

MII100-12A3VCES = 2x 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 135AC25VCE(sat) = 2.2VPhase legPart numberMII100-12A3Backside: isolated1763452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medica

Otros transistores... MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , IRG4PH50UD , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 .

History: DIM800ECM33-F | CM100RL-24NF | CM600DXL-24S | CM50YE13-12H | MMG200D120B6UC | APT40GF120JRD | DM2G150SH6NE

 

 
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