MII100-12A3 IGBT Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MII100-12A3
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 560 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 1200 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 135 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 2.2 V @25℃
Encapsulados: MODULE
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MII100-12A3 datasheet
mii100-12a3.pdf
MII100-12A3 VCES = 2x 1200V IGBT (NPT) Module I= 135A C25 VCE(sat) = 2.2V Phase leg Part number MII100-12A3 Backside isolated 1 7 6 3 4 5 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medica
Otros transistores... MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , XNF15N60T , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 .
History: MIEB101W1200DPFEH
History: MIEB101W1200DPFEH
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