MII100-12A3 - аналоги и описание IGBT

 

MII100-12A3 - аналоги, основные параметры, даташиты

Наименование: MII100-12A3

Тип транзистора: IGBT

Тип управляющего канала: N

Предельные значения

Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W

|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V

|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 135 A @25℃

Электрические характеристики

|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃

Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MII100-12A3

- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам

 

MII100-12A3 даташит

 ..1. Size:186K  ixys
 mii100-12a3.pdf pdf_icon

MII100-12A3

MII100-12A3 VCES = 2x 1200V IGBT (NPT) Module I= 135A C25 VCE(sat) = 2.2V Phase leg Part number MII100-12A3 Backside isolated 1 7 6 3 4 5 2 Features / Advantages Applications Package Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage V 3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medica

Другие IGBT... MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , XNF15N60T , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 .

History: MIEB101W1200DPFEH

 

 

 

 

↑ Back to Top
.