Справочник IGBT. MII100-12A3

 

MII100-12A3 - IGBT справочник. Даташиты. Аналоги. Параметры и характеристики.


   Наименование: MII100-12A3
   Тип транзистора: IGBT + Diode
   Тип управляющего канала: N
   Pcⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 560 W
   |Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 1200 V
   |Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 135 A @25℃
   |VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 2.2 V @25℃
   |VGEth|ⓘ - Максимальное пороговое напряжение затвор-эмиттер: 6.5 V
   Qgⓘ - Общий заряд затвора, typ: 350 nC
   Тип корпуса: MODULE

 Аналог (замена) для MII100-12A3

 

 

MII100-12A3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:186K  ixys
 mii100-12a3.pdf

MII100-12A3 MII100-12A3

MII100-12A3VCES = 2x 1200VIGBT (NPT) ModuleI= 135AC25VCE(sat) = 2.2VPhase legPart numberMII100-12A3Backside: isolated1763452Features / Advantages: Applications: Package: Y4 NPT IGBT technology AC motor drives Isolation Voltage: V~3600 low saturation voltage Solar inverter Industry standard outline low switching losses Medica

Другие IGBT... MIAA15WE600TMH , MIAA20WB600TMH , MIAA20WD600TMH , MIAA20WE600TMH , MID400-12E4 , MIEB100W1200TEH , MIEB101H1200EH , MIEB101W1200EH , FGPF4533 , MII145-12A3 , MII150-12A4 , MII200-12A4 , MII300-12A4 , MII300-12E4 , MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 .

 

 
Back to Top