MIO600-65E11 - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MIO600-65E11
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 6500 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 840 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 4.2 V @25℃
Paquete / Cubierta: E11
- Selección de transistores por parámetros
MIO600-65E11 Datasheet (PDF)
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Otros transistores... MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , GT30F124 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , MITB10WB1200TMH , MITB15WB1200TMH , 2PG009 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L .
History: VS-GB150TS60NPBF | GT25Q101 | NCE20TH60BP
History: VS-GB150TS60NPBF | GT25Q101 | NCE20TH60BP



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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