MIO600-65E11 Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MIO600-65E11
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 6500 V
|Ic|ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 840 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 4.2 V @25℃
Тип корпуса: E11
- подбор IGBT транзистора по параметрам
MIO600-65E11 Datasheet (PDF)
No PDF!
Другие IGBT... MII400-12E4 , MII75-12A3 , MIO1200-25E10 , MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , GT30F124 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MITA30WB600TMH , MITB10WB1200TMH , MITB15WB1200TMH , 2PG009 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L .
History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101
History: VS-GB150TS60NPBF | NCE20TH60BP | GT25Q101



Список транзисторов
Обновления
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
Popular searches
40n06 | bc108b | oc84 | c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290