MITA30WB600TMH - IGBT. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: MITA30WB600TMH
Tipo de transistor: IGBT
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES TECNICAS
Pcⓘ - Máxima potencia disipada: 90 W
|Vce|ⓘ - Tensión máxima colector-emisor: 600 V
|Ic|ⓘ - Colector de Corriente Continua a 25℃: 40 A
|VCEsat|ⓘ - Voltaje de saturación colector-emisor, typ: 1.5 V @25℃
Paquete / Cubierta: MODULE
- Selección de transistores por parámetros
MITA30WB600TMH Datasheet (PDF)
mita30wb600tmh.pdf

Advanced Technical InformationMITA30WB600TMHSingle Phase Brake Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Chopper Inverter ModuleVRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 600 VIDAVM25 = 90 A IC25 = 29 A IC25 = 29 ATrench IGBTIFSM = 270 A VCE(sat) = 2.1 V VCE(sat) = 2.1 VPart name (Marking on product)MITA30WB600TMHP P1T1 T3 T5D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5NTC1G1 G3 G5L1
Otros transistores... MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , GT30J124 , MITB10WB1200TMH , MITB15WB1200TMH , 2PG009 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L , MIXA101W1200EH , IGC19T65QE , MIXA10W1200TMH .
History: AOB30B65LN2V | APTGT75DA120D1 | MMG200D120B6TC
History: AOB30B65LN2V | APTGT75DA120D1 | MMG200D120B6TC



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores
IGBT: G50T65LBBW | G50T65DS | G40N120D | G25T120D | DHG60T65D | DGF30F65M2 | DGE20F65M2 | DGD06F65M2 | DGC75F65M | DGC75F120M2 | DGC60F65M
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