MITA30WB600TMH Даташит. Аналоги. Параметры и характеристики.
Наименование: MITA30WB600TMH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MITA30WB600TMH
MITA30WB600TMH Datasheet (PDF)
mita30wb600tmh.pdf

Advanced Technical InformationMITA30WB600TMHSingle Phase Brake Three PhaseConverter - Brake - InverterRectifier Chopper Inverter ModuleVRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 600 VIDAVM25 = 90 A IC25 = 29 A IC25 = 29 ATrench IGBTIFSM = 270 A VCE(sat) = 2.1 V VCE(sat) = 2.1 VPart name (Marking on product)MITA30WB600TMHP P1T1 T3 T5D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5NTC1G1 G3 G5L1
Другие IGBT... MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , GT30J124 , MITB10WB1200TMH , MITB15WB1200TMH , 2PG009 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L , MIXA101W1200EH , IGC19T65QE , MIXA10W1200TMH .
History: F3L100R07W2E3-B11 | MG100Q2YS40 | APTGT300DA170D3
History: F3L100R07W2E3-B11 | MG100Q2YS40 | APTGT300DA170D3



Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent