MITA30WB600TMH - аналоги, основные параметры, даташиты
Наименование: MITA30WB600TMH
Тип транзистора: IGBT
Тип управляющего канала: N
Предельные значения
Pc ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 90 W
|Vce|ⓘ - Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер: 600 V
|Ic| ⓘ - Максимальный постоянный ток коллектора: 40 A @25℃
Электрические характеристики
|VCEsat|ⓘ - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер типовое: 1.5 V @25℃
Тип корпуса: MODULE
Аналог (замена) для MITA30WB600TMH
- подбор ⓘ IGBT транзистора по параметрам
MITA30WB600TMH даташит
mita30wb600tmh.pdf
Advanced Technical Information MITA30WB600TMH Single Phase Brake Three Phase Converter - Brake - Inverter Rectifier Chopper Inverter Module VRRM = 1600 V VCES = 600 V VCES = 600 V IDAVM25 = 90 A IC25 = 29 A IC25 = 29 A Trench IGBT IFSM = 270 A VCE(sat) = 2.1 V VCE(sat) = 2.1 V Part name (Marking on product) MITA30WB600TMH P P1 T1 T3 T5 D8 D10 D12 D7 D1 D3 D5 NTC1 G1 G3 G5 L1
Другие IGBT... MIO1200-33E10 , MIO1200-33E11 , MIO1500-25E10 , MIO1800-17E10 , MIO2400-17E10 , MIO600-65E11 , MITA10WB1200TMH , MITA15WB1200TMH , MBQ60T65PES , MITB10WB1200TMH , MITB15WB1200TMH , 2PG009 , MIXA100W1200TEH , IGC27T120T6L , MIXA101W1200EH , IGC19T65QE , MIXA10W1200TMH .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
IGBT: JJT40N120SE | JJT40N120HE | JJT30N65UE | JJT30N65SY | JJT30N65SS | JJT30N65SE | JJT40N65UH | JJT40N65UE | JJT40N65LE | JJT40N65HE | JJT40N135UE
Popular searches
c6090 | ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent

